晶圓封裝是先進的芯片封裝方式之一，封裝質量的好壞將直接影響到電子產(chǎn)品成本及性能。IC封裝形式有許多，且在科技進步的同時也發(fā)生著日新月異的變化，但其生產(chǎn)過程有芯片置放裝架內引線鍵合、密封固化等，但只有封裝達到要求的才能投人實際應用，成為終端產(chǎn)品。VP系列金鉑利萊制造生產(chǎn)的低溫等離子表面清洗機適用于晶圓級先進封裝應用，能顯著的降低化學和耗材使用量，保護環(huán)境的同時降低設備使用成本。

    等離子清洗屬于干法清洗，主要的工作機理是去除晶圓（Wafer）表面肉眼看不到的表面污染物；晶圓等離子清洗過程就是先將晶圓放入等離子清洗機的真空反應腔體內，然后抽取真空，達到一定真空度后通入反應氣體，這些反應氣體被電離形成等離子體與晶片表面發(fā)生化學和物理反應，生成可揮發(fā)性物質被抽走，使得晶圓表面變得清潔并具親水性。

1- 整片晶圓生產(chǎn)完成后，直接在晶圓上面進行封裝和測試，然后把整個晶圓切割開來分成單顆晶粒；電氣連接部分采用用銅凸塊（Copper Bump）取代打線（Wire Bond）的方法，所以沒有打線或填膠工藝。

2- 3d晶圓封裝前等離子處理的目的：去除表面的無機物，還原氧化層，增加銅表面的粗糙度，提高產(chǎn)品的可靠性

3- 3d晶圓封裝前處理的等離子清洗機由于產(chǎn)能的需要，真空反應腔體、電極結構、氣流分布、水冷裝置、均勻性等方面的設計會有顯著區(qū)別。

4- 芯片制作完成后殘余的光刻膠無法用濕式法清洗，只能通過等離子的方式進行去除，然而光刻膠較厚無法確定，所以需要去調整相應的工藝參數(shù)。